SI2304DS,215
MOSFET N-CH 30V 1.7A TO236AB
NOVA partie #:
312-2314344-SI2304DS,215
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
SI2304DS,215
Paquet Standard:
3,000
Fiche technique:
N-Channel 30 V 1.7A (Tc) 830mW (Tc) Surface Mount TO-236AB
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Nexperia USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | TO-236AB | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | TrenchMOS™ | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 1.7A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 117mOhm @ 500mA, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 4.6 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 30 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 195 pF @ 10 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 830mW (Tc) | |
| Autres noms | SI2304DS T/R SI2304DS T/R-ND SI2304DS,215-ND 568-5957-2 568-5957-1 568-5957-6 934056633215 |
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