IRFR825PBF
HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET
NOVA partie #:
312-2295910-IRFR825PBF
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
IRFR825PBF
Paquet Standard:
1
Fiche technique:
N-Channel 500 V 6A (Tc) 119W (Tc) Surface Mount D-Pak
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | International Rectifier | |
| RoHS | 1 | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | D-Pak | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | HEXFET® | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 6A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.3Ohm @ 3.7A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 34 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 500 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1346 pF @ 25 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 119W (Tc) | |
| Autres noms | INFIRFIRFR825PBF 2156-IRFR825PBF |
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