SQS481ENW-T1_GE3
MOSFET P-CH 150V 4.7A PPAK1212-8
NOVA partie #:
312-2287756-SQS481ENW-T1_GE3
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
SQS481ENW-T1_GE3
Paquet Standard:
3,000
Fiche technique:
P-Channel 150 V 4.7A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | PowerPAK® 1212-8 | |
| Numéro de produit de base | SQS481 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 4.7A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.095Ohm @ 5A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | PowerPAK® 1212-8 | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | P-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 150 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 385 pF @ 75 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 62.5W (Tc) | |
| Autres noms | SQS481ENW-T1_GE3DKR SQS481ENW-T1_GE3CT SQS481ENW-T1_GE3TR |
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