IPD80R2K4P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 2.5A TO252-3
NOVA partie #:
312-2290666-IPD80R2K4P7ATMA1
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
IPD80R2K4P7ATMA1
Paquet Standard:
2,500
Fiche technique:
N-Channel 800 V 2.5A (Tc) 22W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | PG-TO252-3 | |
| Numéro de produit de base | IPD80R2 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | CoolMOS™ P7 | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 2.5A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4Ohm @ 800mA, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 40µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 800 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 150 pF @ 500 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 22W (Tc) | |
| Autres noms | IPD80R2K4P7ATMA1TR IPD80R2K4P7ATMA1CT IFEINFIPD80R2K4P7ATMA1 2156-IPD80R2K4P7ATMA1 SP001644284 IPD80R2K4P7ATMA1DKR |
In stock Veuillez nous contacter
Pas le prix que vous voulez? Remplissez les formulaires et nous vous contacterons dès que possible.
Nous avons trouvé d’autres produits qui pourraient vous intéresser!
IPD80R280P7ATMA1Infineon Technologies