SI6423ADQ-T1-GE3
MOSFET PCH 20V 10.3/12.5A 8TSSOP
NOVA partie #:
312-2268050-SI6423ADQ-T1-GE3
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
SI6423ADQ-T1-GE3
Paquet Standard:
3,000
Fiche technique:
P-Channel 20 V 10.3A (Ta), 12.5A (Tc) 1.5W (Ta), 2.2W (Tc) Surface Mount 8-TSSOP
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | 8-TSSOP | |
| Numéro de produit de base | SI6423 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | TrenchFET® | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 10.3A (Ta), 12.5A (Tc) | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.8mOhm @ 10A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 168 nC @ 8 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) | |
| Vg (Max) | ±8V | |
| Type FET | P-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 20 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 5875 pF @ 10 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 1.5W (Ta), 2.2W (Tc) | |
| Autres noms | 742-SI6423ADQ-T1-GE3DKR 742-SI6423ADQ-T1-GE3CT 742-SI6423ADQ-T1-GE3TR |
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