FDD5680

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
NOVA partie #:
312-2274922-FDD5680
Pièce de fabricant non:
FDD5680
Paquet Standard:
1
Fiche technique:

N-Channel 60 V 8.5A (Ta) 2.8W (Ta), 60W (Tc) Surface Mount TO-252AA

More Information
Catégorie de produitsTransistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:Fairchild Semiconductor
RoHS 1
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur TO-252AA
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
SériePowerTrench®
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C 8.5A (Ta)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 46 nC @ 10 V
Fonction FET-
Paquet/caisseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vg (Max)±20V
Type FETN-Channel
Tension drain à source (Vdss)60 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1835 pF @ 30 V
Dissipation de puissance (maximale) 2.8W (Ta), 60W (Tc)
Autres nomsONSONSFDD5680
2156-FDD5680

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