SQ2337ES-T1_GE3
MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
NOVA partie #:
312-2281111-SQ2337ES-T1_GE3
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
SQ2337ES-T1_GE3
Paquet Standard:
3,000
Fiche technique:
P-Channel 80 V 2.2A (Tc) 3W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | SOT-23-3 (TO-236) | |
| Numéro de produit de base | SQ2337 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 2.2A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 290mOhm @ 1A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | P-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 80 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 620 pF @ 30 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 3W (Tc) | |
| Autres noms | SQ2337ES-T1_GE3TR SQ2337ES-T1_GE3DKR SQ2337ES-T1_GE3CT |
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