RFD3055LESM9A
MOSFET N-CH 60V 11A TO252AA
NOVA partie #:
312-2271443-RFD3055LESM9A
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
RFD3055LESM9A
Paquet Standard:
2,500
Fiche technique:
N-Channel 60 V 11A (Tc) 38W (Tc) Surface Mount TO-252AA
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Harris Corporation | |
| RoHS | 1 | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | TO-252AA | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | - | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 11A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 107mOhm @ 8A, 5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 11.3 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vg (Max) | ±16V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 60 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 350 pF @ 25 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 38W (Tc) | |
| Autres noms | 2156-RFD3055LESM9A-HCTR ONSONSRFD3055LESM9A |
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