PSMN4R2-80YSE

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Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Nexperia USA Inc.
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	LFPAK56, Power-SO8
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	-
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	170A (Ta)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.2mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.6V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	110 nC @ 10 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	SOT-1023, 4-LFPAK
Vg (Max)	±20V
Type FET	N-Channel
Tension drain à source (Vdss)	80 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	8000 pF @ 40 V
Dissipation de puissance (maximale)	294W (Ta)
Autres noms	1727-PSMN4R2-80YSEDKR 934662576115 1727-PSMN4R2-80YSETR 1727-PSMN4R2-80YSECT

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