FQP4N90C

MOSFET N-CH 900V 4A TO220-3
NOVA partie #:
312-2292329-FQP4N90C
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
FQP4N90C
Paquet Standard:
1,000
Fiche technique:

N-Channel 900 V 4A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-220-3

More Information
Catégorie de produitsTransistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:onsemi
RoHS 1
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Ensemble d'appareils du fournisseur TO-220-3
Numéro de produit de base FQP4
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
SérieQFET®
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C 4A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 10 V
Fonction FET-
Paquet/caisseTO-220-3
Vg (Max)±30V
Type FETN-Channel
Tension drain à source (Vdss)900 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 960 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (maximale) 140W (Tc)

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