CSD16409Q3

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Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Texas Instruments
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	8-VSONP (5x6)
Numéro de produit de base	CSD16409
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	NexFET™
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	15A (Ta), 60A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.2mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	5.6 nC @ 4.5 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	8-PowerTDFN
Vg (Max)	+16V, -12V
Type FET	N-Channel
Tension drain à source (Vdss)	25 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	800 pF @ 12.5 V
Dissipation de puissance (maximale)	2.6W (Ta)
Autres noms	296-24253-1 296-24253-2 296-24253-1-NDR -296-24253-1-NDR -CSD16409Q3-NDR 296-24253-6-NDR -296-24253-1-ND 296-24253-2-NDR 296-24253-6

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