IRLML5103TRPBF
MOSFET P-CH 30V 760MA SOT23
NOVA partie #:
312-2282003-IRLML5103TRPBF
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
IRLML5103TRPBF
Paquet Standard:
3,000
Fiche technique:
P-Channel 30 V 760mA (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | Micro3™/SOT-23 | |
| Numéro de produit de base | IRLML5103 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | HEXFET® | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 760mA (Ta) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 600mA, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 5.1 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | P-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 30 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 75 pF @ 25 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 540mW (Ta) | |
| Autres noms | IRLML5103GTRPBFTR IRLML5103PBFCT IRLML5103GTRPBFDKR-ND IRLML5103GTRPBFCT IRLML5103GTRPBFDKR SP001568594 IRLML5103GTRPBF SP001572946 *IRLML5103TRPBF IRLML5103PBFDKR IRLML5103PBFTR IRLML5103GTRPBFCT-ND IRLML5103GTRPBF-ND IRLML5103GTRPBFTR-ND |
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