SCT3120AW7TL

SICFET N-CH 650V 21A TO263-7
NOVA partie #:
312-2293806-SCT3120AW7TL
Pièce de fabricant non:
SCT3120AW7TL
Paquet Standard:
1,000
Fiche technique:

N-Channel 650 V 21A (Tc) 100W Surface Mount TO-263-7

More Information
Catégorie de produitsTransistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:Rohm Semiconductor
RoHS 1
emballageTape & Reel (TR)
Température de fonctionnement 175°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur TO-263-7
Numéro de produit de base SCT3120
TechnologieSiCFET (Silicon Carbide)
Série-
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 156mOhm @ 6.7A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id 5.6V @ 3.33mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 18 V
Fonction FET-
Paquet/caisseTO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Vg (Max)+22V, -4V
Type FETN-Channel
Tension drain à source (Vdss)650 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 460 pF @ 500 V
Dissipation de puissance (maximale) 100W
Autres noms846-SCT3120AW7TLTR
846-SCT3120AW7TLDKR
846-SCT3120AW7TLCT

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