BSM180C12P3C202
SICFET N-CH 1200V 180A MODULE
NOVA partie #:
312-2275707-BSM180C12P3C202
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
BSM180C12P3C202
Paquet Standard:
12
Fiche technique:
N-Channel 1200 V 180A (Tc) 880W (Tc) Chassis Mount Module
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Rohm Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Chassis Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | Module | |
| Numéro de produit de base | BSM180 | |
| Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Série | - | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 180A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | - | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.6V @ 50mA | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | Module | |
| Vg (Max) | +22V, -4V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 1200 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 9000 pF @ 10 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 880W (Tc) | |
| Autres noms | 846-BSM180C12P3C202 |
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