DMN1016UCB6-7
MOSFET N-CH 12V 5.5A U-WLB1510-6
NOVA partie #:
312-2273232-DMN1016UCB6-7
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
DMN1016UCB6-7
Paquet Standard:
3,000
Fiche technique:
N-Channel 12 V 5.5A (Ta) 920mW (Ta) Surface Mount U-WLB1510-6
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Diodes Incorporated | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | U-WLB1510-6 | |
| Numéro de produit de base | DMN1016 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | - | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 5.5A (Ta) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 2.5V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 1.5A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 4.2 nC @ 4.5 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | 6-UFBGA, WLBGA | |
| Vg (Max) | ±8V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 12 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 423 pF @ 6 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 920mW (Ta) | |
| Autres noms | DMN1016UCB6-7DIDKR DMN1016UCB6-7DICT DMN1016UCB6-7DITR |
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