IMW65R039M1HXKSA1

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SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247

NOVA partie #:

312-2273053-IMW65R039M1HXKSA1

Fabricant::

Pièce de fabricant non:

IMW65R039M1HXKSA1

Paquet Standard:

Fiche technique:

N-Channel 650 V 46A (Tc) 176W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41

More Information
Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Infineon Technologies
RoHS	1
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Ensemble d'appareils du fournisseur	PG-TO247-3-41
Technologie	SiCFET (Silicon Carbide)
Série	CoolSiC™
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	46A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	50mOhm @ 25A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id	5.7V @ 7.5mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	41 nC @ 18 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	TO-247-3
Vg (Max)	+20V, -2V
Type FET	N-Channel
Tension drain à source (Vdss)	650 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1393 pF @ 400 V
Dissipation de puissance (maximale)	176W (Tc)
Autres noms	448-IMW65R039M1HXKSA1