IGLD60R070D1AUMA3

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.mst-lazy {display:none;}

GANFET N-CH

NOVA partie #:

312-2299765-IGLD60R070D1AUMA3

Fabricant::

Pièce de fabricant non:

IGLD60R070D1AUMA3

Paquet Standard:

3,000

Fiche technique:

N-Channel 600 V 15A (Tc) 114W (Tc) Surface Mount PG-LSON-8-1

More Information
Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Infineon Technologies
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	PG-LSON-8-1
Technologie	GaNFET (Gallium Nitride)
Série	CoolGaN™
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	15A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Vgs(th) (Max) @ Id	1.6V @ 2.6mA
Fonction FET	-
Paquet/caisse	8-LDFN Exposed Pad
Vg (Max)	-10V
Type FET	N-Channel
Tension drain à source (Vdss)	600 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	380 pF @ 400 V
Dissipation de puissance (maximale)	114W (Tc)
Autres noms	448-IGLD60R070D1AUMA3DKR SP005557209 448-IGLD60R070D1AUMA3CT 448-IGLD60R070D1AUMA3TR