TSM090N03ECP ROG

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Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Taiwan Semiconductor Corporation
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	TO-252, (D-Pak)
Numéro de produit de base	TSM090
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	-
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	50A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	7.7 nC @ 4.5 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vg (Max)	±20V
Type FET	N-Channel
Tension drain à source (Vdss)	30 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	680 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (maximale)	40W (Tc)
Autres noms	TSM090N03ECP ROGTR TSM090N03ECP ROGTR-ND TSM090N03ECPROGTR TSM090N03ECP ROGDKR TSM090N03ECP ROGDKR-ND TSM090N03ECP ROGCT TSM090N03ECP ROGCT-ND TSM090N03ECPROGCT TSM090N03ECPROGDKR

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