SQR40N10-25

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Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Vishay Siliconix
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	TO-252 (DPAK) Reverse Lead
Numéro de produit de base	SQR40
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	TrenchFET®
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	40A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	70 nC @ 10 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	TO-252-4, DPak (3 Leads + Tab)
Vg (Max)	±20V
Type FET	N-Channel
Tension drain à source (Vdss)	100 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	3380 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (maximale)	136W (Tc)
Autres noms	SQR40N10-25_GE3-ND SQR40N10-25-GE3 SQR40N10-25_GE3CT SQR40N10-25_GE3DKR SQR40N10-25_GE3TR SQR40N10-25-GE3-ND

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