IPD80R1K4CEATMA1
MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3
NOVA partie #:
312-2290401-IPD80R1K4CEATMA1
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
IPD80R1K4CEATMA1
Paquet Standard:
2,500
Fiche technique:
N-Channel 800 V 3.9A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | PG-TO252-3 | |
| Numéro de produit de base | IPD80R1 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | CoolMOS™ | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 3.9A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 2.3A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 240µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 800 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 570 pF @ 100 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 63W (Tc) | |
| Autres noms | SP001130972 IPD80R1K4CEATMA1-ND IPD80R1K4CEATMA1TR IPD80R1K4CEATMA1CT IPD80R1K4CEATMA1DKR |
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