FQT4N25TF
MOSFET N-CH 250V 830MA SOT223-4
NOVA partie #:
312-2272470-FQT4N25TF
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
FQT4N25TF
Paquet Standard:
4,000
Fiche technique:
N-Channel 250 V 830mA (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-223-4
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | SOT-223-4 | |
| Numéro de produit de base | FQT4N25 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | QFET® | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 830mA (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.75Ohm @ 415mA, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 5.6 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | TO-261-4, TO-261AA | |
| Vg (Max) | ±30V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 250 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 200 pF @ 25 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 2.5W (Tc) | |
| Autres noms | FQT4N25TFTR FQT4N25TFDKR FQT4N25TF-ND FQT4N25TFCT 2156-FQT4N25TF-OS FAIFSCFQT4N25TF |
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