NTR4170NT1G
MOSFET N-CH 30V SOT23-3
NOVA partie #:
312-2281852-NTR4170NT1G
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
NTR4170NT1G
Paquet Standard:
3,000
Fiche technique:
N-Channel 30 V 2.4A (Ta) 480mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | SOT-23-3 (TO-236) | |
| Numéro de produit de base | NTR4170 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | - | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 2.4A (Ta) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 2.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55mOhm @ 3.2A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 4.76 nC @ 4.5 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| Vg (Max) | ±12V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 30 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 432 pF @ 15 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 480mW (Ta) | |
| Autres noms | NTR4170NT1GOSCT NTR4170NT1GOSTR ONSONSNTR4170NT1G NTR4170NT1G-ND 2156-NTR4170NT1G-OS NTR4170NT1GOSDKR |
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