3SK293(TE85L,F)
FET RF 12.5V 800MHZ USQ
NOVA partie #:
308-2254820-3SK293(TE85L,F)
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
3SK293(TE85L,F)
Paquet Standard:
3,000
Fiche technique:
RF Mosfet N-Channel Dual Gate 6 V 10 mA 800MHz 22dB - USQ
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - RF | |
| Fabricant: | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | USQ | |
| Numéro de produit de base | 3SK293 | |
| Série | - | |
| Gagner | 22dB | |
| Tension - Test | 6 V | |
| Facteur de bruit | 2.5dB | |
| Courant - Test | 10 mA | |
| Puissance - Sortie | - | |
| Paquet/caisse | SC-82A, SOT-343 | |
| Courant nominal (ampères) | 30mA | |
| Tension - nominale | 12.5 V | |
| Fréquence | 800MHz | |
| Type de transistor | N-Channel Dual Gate | |
| Autres noms | 3SK293TE85LF 3SK293(TE85LF)TR 3SK293(TE85LF)CT 3SK293 (TE85L,F 3SK293(TE85LF)DKR 3SK293 (TE85LF) |
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