SQ1912EH-T1_GE3
MOSFET 2 N-CH 20V 800MA SC70-6
NOVA partie #:
303-2248882-SQ1912EH-T1_GE3
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
SQ1912EH-T1_GE3
Paquet Standard:
3,000
Fiche technique:
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 800mA (Tc) 1.5W Surface Mount SC-70-6
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Matrices | |
| Fabricant: | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | SC-70-6 | |
| Numéro de produit de base | SQ1912 | |
| Paquet/caisse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
| Série | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 800mA (Tc) | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280mOhm @ 1.2A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 1.15nC @ 4.5V | |
| Fonction FET | Standard | |
| Type FET | 2 N-Channel (Dual) | |
| Tension drain à source (Vdss) | 20V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 75pF @ 10V | |
| Puissance - Max | 1.5W | |
| Autres noms | SQ1912EH-T1_GE3DKR SQ1912EH-T1_GE3CT SQ1912EH-T1_GE3TR |
In stock Veuillez nous contacter
Pas le prix que vous voulez? Remplissez les formulaires et nous vous contacterons dès que possible.
Nous avons trouvé d’autres produits qui pourraient vous intéresser!
SQ1922EEH-T1_GE3Vishay Siliconix