SI1902CDL-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 1.1A SC-70-6
NOVA partie #:
303-2251339-SI1902CDL-T1-GE3
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
SI1902CDL-T1-GE3
Paquet Standard:
3,000
Fiche technique:
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 1.1A 420mW Surface Mount SC-70-6
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Matrices | |
| Fabricant: | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | SC-70-6 | |
| Numéro de produit de base | SI1902 | |
| Paquet/caisse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
| Série | TrenchFET® | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 1.1A | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 235mOhm @ 1A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 3nC @ 10V | |
| Fonction FET | Logic Level Gate | |
| Type FET | 2 N-Channel (Dual) | |
| Tension drain à source (Vdss) | 20V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 62pF @ 10V | |
| Puissance - Max | 420mW | |
| Autres noms | SI1902CDL-T1-GE3CT SI1902CDL-T1-GE3DKR SI1902CDL-T1-GE3-ND SI1902CDL-T1-GE3TR |
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