CSD85312Q3E

MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON

NOVA partie #:

303-2247533-CSD85312Q3E

Fabricant::

Pièce de fabricant non:

CSD85312Q3E

Paquet Standard:

2,500

Fiche technique:

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Source 20V 39A 2.5W Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3)

More Information
Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Fabricant:	Texas Instruments
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	8-VSON (3.3x3.3)
Numéro de produit de base	CSD85312
Paquet/caisse	8-PowerVDFN
Série	NexFET™
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	39A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12.4mOhm @ 10A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id	1.4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	15.2nC @ 4.5V
Fonction FET	Logic Level Gate, 5V Drive
Type FET	2 N-Channel (Dual) Common Source
Tension drain à source (Vdss)	20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2390pF @ 10V
Puissance - Max	2.5W
Autres noms	-CSD85312Q3E-NDR TEXTISCSD85312Q3E 296-37187-6 2156-CSD85312Q3E 296-37187-1 296-37187-2 -296-37187-1 -296-37187-1-ND CSD85312Q3E-ND

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