CSD86330Q3D

MOSFET 2N-CH 25V 20A 8LSON

NOVA partie #:

303-2250766-CSD86330Q3D

Fabricant::

Pièce de fabricant non:

CSD86330Q3D

Paquet Standard:

2,500

Fiche technique:

Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 25V 20A 6W Surface Mount 8-LSON (3.3x3.3)

More Information
Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Fabricant:	Texas Instruments
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	8-LSON (3.3x3.3)
Numéro de produit de base	CSD86330Q3
Paquet/caisse	8-PowerLDFN
Série	NexFET™
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.6mOhm @ 14A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	6.2nC @ 4.5V
Fonction FET	Logic Level Gate
Type FET	2 N-Channel (Half Bridge)
Tension drain à source (Vdss)	25V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	920pF @ 12.5V
Puissance - Max	6W
Autres noms	296-28216-2 TEXTISCSD86330Q3D 296-28216-6 -296-28216-1-ND -CSD86330Q3D-NDR 2156-CSD86330Q3D 296-28216-1

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