SQJ208EP-T1_GE3
MOSFET DUAL N-CH AUTO 40V PP SO-
NOVA partie #:
303-2250844-SQJ208EP-T1_GE3
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
SQJ208EP-T1_GE3
Paquet Standard:
3,000
Fiche technique:
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 20A (Tc), 60A (Tc) 27W (Tc), 48W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Matrices | |
| Fabricant: | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric | |
| Numéro de produit de base | SQJ208 | |
| Paquet/caisse | PowerPAK® SO-8 Dual | |
| Série | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 20A (Tc), 60A (Tc) | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.4mOhm @ 6A, 10V, 3.9mOhm @ 10A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA, 2.4V @ 250µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 33nC @ 10V, 75nC @ 10V | |
| Fonction FET | Standard | |
| Type FET | 2 N-Channel (Dual) | |
| Tension drain à source (Vdss) | 40V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1700pF @ 25V, 3900pF @ 25V | |
| Puissance - Max | 27W (Tc), 48W (Tc) | |
| Autres noms | SQJ208EP-T1_GE3CT SQJ208EP-T1_GE3TR SQJ208EP-T1_GE3DKR |
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