EPC2101
GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
NOVA partie #:
303-2247968-EPC2101
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
EPC2101
Paquet Standard:
500
Fiche technique:
Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 60V 9.5A, 38A - Surface Mount Die
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Matrices | |
| Fabricant: | EPC | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | Die | |
| Paquet/caisse | Die | |
| Série | eGaN® | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 9.5A, 38A | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.5mOhm @ 20A, 5V, 2.7mOhm @ 20A, 5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 2.7nC @ 5V, 12nC @ 5V | |
| Fonction FET | GaNFET (Gallium Nitride) | |
| Type FET | 2 N-Channel (Half Bridge) | |
| Tension drain à source (Vdss) | 60V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 300pF @ 30V, 1200pF @ 30V | |
| Puissance - Max | - | |
| Autres noms | 917-1181-6 917-1181-2 917-1181-1 |
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