SIZ322DT-T1-GE3
MOSFET 2 N-CH 25V 30A 8-POWER33
NOVA partie #:
303-2247575-SIZ322DT-T1-GE3
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
SIZ322DT-T1-GE3
Paquet Standard:
3,000
Fiche technique:
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 30A (Tc) 16.7W (Tc) Surface Mount 8-Power33 (3x3)
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Matrices | |
| Fabricant: | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | 8-Power33 (3x3) | |
| Numéro de produit de base | SIZ322 | |
| Paquet/caisse | 8-PowerWDFN | |
| Série | TrenchFET® Gen IV | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 30A (Tc) | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.35mOhm @ 15A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 20.1nC @ 10V | |
| Fonction FET | Standard | |
| Type FET | 2 N-Channel (Dual) | |
| Tension drain à source (Vdss) | 25V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 950pF @ 12.5V | |
| Puissance - Max | 16.7W (Tc) | |
| Autres noms | SIZ322DT-T1-GE3DKR SIZ322DT-T1-GE3CT SIZ322DT-T1-GE3TR |
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