SI4501BDY-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 30V/8V 8SOIC

NOVA partie #:

303-2251411-SI4501BDY-T1-GE3

Fabricant::

Pièce de fabricant non:

SI4501BDY-T1-GE3

Paquet Standard:

2,500

Fiche technique:

Mosfet Array N and P-Channel, Common Drain 30V, 8V 12A, 8A 4.5W, 3.1W Surface Mount 8-SOIC

More Information
Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Fabricant:	Vishay Siliconix
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	8-SOIC
Numéro de produit de base	SI4501
Paquet/caisse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Série	TrenchFET®
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	12A, 8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	17mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	25nC @ 10V
Fonction FET	Logic Level Gate
Type FET	N and P-Channel, Common Drain
Tension drain à source (Vdss)	30V, 8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	805pF @ 15V
Puissance - Max	4.5W, 3.1W
Autres noms	SI4501BDY-T1-GE3DKR SI4501BDY-T1-GE3CT SI4501BDY-T1-GE3TR

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