SI4922BDY-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

NOVA partie #:

303-2065731-SI4922BDY-T1-GE3

Fabricant::

Pièce de fabricant non:

SI4922BDY-T1-GE3

Paquet Standard:

2,500

Fiche technique:

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 3.1W Surface Mount 8-SOIC

More Information
Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Fabricant:	Vishay Siliconix
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	8-SOIC
Numéro de produit de base	SI4922
Paquet/caisse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Série	TrenchFET®
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	16mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	1.8V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	62nC @ 10V
Fonction FET	Standard
Type FET	2 N-Channel (Dual)
Tension drain à source (Vdss)	30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2070pF @ 15V
Puissance - Max	3.1W
Autres noms	SI4922BDY-T1-GE3DKR SI4922BDY-T1-GE3CT SI4922BDY-T1-GE3TR SI4922BDY-T1-GE3-ND

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