SIRB40DP-T1-GE3

MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8

NOVA partie #:

303-2247920-SIRB40DP-T1-GE3

Fabricant::

Pièce de fabricant non:

SIRB40DP-T1-GE3

Paquet Standard:

3,000

Fiche technique:

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 40A (Tc) 46.2W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual

More Information
Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Fabricant:	Vishay Siliconix
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	PowerPAK® SO-8 Dual
Numéro de produit de base	SIRB40
Paquet/caisse	PowerPAK® SO-8 Dual
Série	TrenchFET®
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.25mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	45nC @ 4.5V
Fonction FET	Standard
Type FET	2 N-Channel (Dual)
Tension drain à source (Vdss)	40V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	4290pF @ 20V
Puissance - Max	46.2W
Autres noms	SIRB40DP-T1-GE3CT SIRB40DP-T1-GE3TR SIRB40DP-T1-GE3DKR

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