SI1965DH-T1-GE3

MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6

NOVA partie #:

303-2251370-SI1965DH-T1-GE3

Fabricant::

Pièce de fabricant non:

SI1965DH-T1-GE3

Paquet Standard:

3,000

Fiche technique:

Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 1.3A 1.25W Surface Mount SC-70-6

More Information
Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Fabricant:	Vishay Siliconix
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	SC-70-6
Numéro de produit de base	SI1965
Paquet/caisse	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Série	TrenchFET®
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	390mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	4.2nC @ 8V
Fonction FET	Logic Level Gate
Type FET	2 P-Channel (Dual)
Tension drain à source (Vdss)	12V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	120pF @ 6V
Puissance - Max	1.25W
Autres noms	SI1965DH-T1-GE3TR SI1965DH-T1-GE3DKR SI1965DHT1GE3 SI1965DH-T1-GE3CT

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