BC858B

BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR
NOVA partie #:
301-2022319-BC858B
Pièce de fabricant non:
BC858B
Paquet Standard:
10,000
Fiche technique:

Bipolar (BJT) Transistor PNP 30 V 100 mA 100MHz 250 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

More Information
Catégorie de produitsTransistors - Bipolaire (BJT) - Simple
Fabricant:Infineon Technologies
RoHS 1
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur SOT-23-3 (TO-236)
Série-
Paquet/caisseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 220 @ 2mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 650mV @ 5mA, 100mA
Fréquence - Transition100MHz
Courant - Coupure du collecteur (Max)15nA (ICBO)
Tension - Répartition Collecteur Emetteur (Max)30 V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 100 mA
Type de transistorPNP
Puissance - Max 250 mW
Autres nomsINFINFBC858B
2156-BC858B

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