MJD112G

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TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK

NOVA partie #:

301-2035888-MJD112G

Fabricant::

Pièce de fabricant non:

MJD112G

Paquet Standard:

Fiche technique:

Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 2 A 25MHz 1.75 W Surface Mount DPAK

More Information
Catégorie de produits	Transistors - Bipolaire (BJT) - Simple
Fabricant:	onsemi
RoHS	1
Température de fonctionnement	-65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	DPAK
Numéro de produit de base	MJD112
Série	-
Paquet/caisse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	1000 @ 2A, 3V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	3V @ 40mA, 4A
Fréquence - Transition	25MHz
Courant - Coupure du collecteur (Max)	20µA
Tension - Répartition Collecteur Emetteur (Max)	100 V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	2 A
Type de transistor	NPN - Darlington
Puissance - Max	1.75 W
Autres noms	MJD112G-ND 2156-MJD112G-OS ONSONSMJD112G MJD112GOS

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