2SCR586D3TL1

POWER TRANSISTOR WITH LOW VCE(SA
NOVA partie #:
301-2033578-2SCR586D3TL1
Pièce de fabricant non:
2SCR586D3TL1
Paquet Standard:
2,500
Fiche technique:

Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 5 A 200MHz 10 W Surface Mount TO-252

More Information
Catégorie de produitsTransistors - Bipolaire (BJT) - Simple
Fabricant:Rohm Semiconductor
RoHS 1
emballageTape & Reel (TR)
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur TO-252
Numéro de produit de base 2SCR586
Série-
Paquet/caisseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 500mA, 3V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 100mA, 2A
Fréquence - Transition200MHz
Courant - Coupure du collecteur (Max)1µA (ICBO)
Tension - Répartition Collecteur Emetteur (Max)80 V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 5 A
Type de transistorNPN
Puissance - Max 10 W
Autres noms2SCR586D3TL1CT
2SCR586D3TL1DKR
2SCR586D3TL1TR

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