NSVEMC2DXV5T1G
TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT553
NOVA partie #:
299-2013143-NSVEMC2DXV5T1G
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
NSVEMC2DXV5T1G
Paquet Standard:
4,000
Fiche technique:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre - Biased (Base-Collector Junction) 50V 100mA - 500mW Surface Mount SOT-553
| Catégorie de produits | Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, pré-polarisés | |
| Fabricant: | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | SOT-553 | |
| Numéro de produit de base | NSVEMC2 | |
| Série | - | |
| Paquet/caisse | SOT-553 | |
| Résistance - Base (R1) | 22kOhms | |
| Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 22kOhms | |
| Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V | |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA | |
| Fréquence - Transition | - | |
| Courant - Coupure du collecteur (Max) | 500nA | |
| Tension - Répartition Collecteur Emetteur (Max) | 50V | |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA | |
| Type de transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre - Biased (Base-Collector Junction) | |
| Puissance - Max | 500mW | |
| Autres noms | NSVEMC2DXV5T1GOSDKR ONSONSNSVEMC2DXV5T1G NSVEMC2DXV5T1G-ND NSVEMC2DXV5T1GOSCT NSVEMC2DXV5T1GOSTR 2156-NSVEMC2DXV5T1G-OS |
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