MUN5312DW1T1G
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
NOVA partie #:
299-2013385-MUN5312DW1T1G
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
MUN5312DW1T1G
Paquet Standard:
3,000
Fiche technique:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA - 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
| Catégorie de produits | Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, pré-polarisés | |
| Fabricant: | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | SC-88/SC70-6/SOT-363 | |
| Numéro de produit de base | MUN5312 | |
| Série | - | |
| Paquet/caisse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
| Résistance - Base (R1) | 22kOhms | |
| Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 22kOhms | |
| Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V | |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA | |
| Fréquence - Transition | - | |
| Courant - Coupure du collecteur (Max) | 500nA | |
| Tension - Répartition Collecteur Emetteur (Max) | 50V | |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA | |
| Type de transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | |
| Puissance - Max | 250mW | |
| Autres noms | MUN5312DW1T1GOSDKR MUN5312DW1T1GOSCT MUN5312DW1T1GOSTR MUN5312DW1T1G-ND |
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