RN1905FE,LF(CT

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Catégorie de produits	Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, pré-polarisés
Fabricant:	Toshiba Semiconductor and Storage
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	ES6
Numéro de produit de base	RN1905
Série	-
Paquet/caisse	SOT-563, SOT-666
Résistance - Base (R1)	2.2kOhms
Résistance - Base de l'émetteur (R2)	47kOhms
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	80 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Fréquence - Transition	250MHz
Courant - Coupure du collecteur (Max)	500nA
Tension - Répartition Collecteur Emetteur (Max)	50V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	100mA
Type de transistor	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Puissance - Max	100mW
Autres noms	RN1905FE(TE85LF)TR-ND RN1905FE(TE85LF)DKR-ND RN1905FE(TE85LF)CT-ND RN1905FELF(CBDKR RN1905FELF(CBTR-ND RN1905FELF(CBCT RN1905FELF(CTTR RN1905FELF(CBDKR-ND RN1905FE,LF(CB RN1905FE(TE85LF)TR RN1905FELF(CTCT RN1905FE(TE85LF)DKR RN1905FELF(CBCT-ND RN1905FE(TE85L,F) RN1905FELF(CBTR RN1905FELF(CTDKR RN1905FE(TE85LF)CT

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