NTE2018

IC-8 CHAN CMOS/TTL DR 18-PIN DIP

NOVA partie #:

298-2008993-NTE2018

Fabricant::

Pièce de fabricant non:

NTE2018

Paquet Standard:

Fiche technique:

Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 50V 600mA - 1W Through Hole 18-PDIP

More Information
Catégorie de produits	Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices
Fabricant:	NTE Electronics, Inc
RoHS	1
Température de fonctionnement	-20°C ~ 85°C (TA)
Type de montage	Through Hole
Ensemble d'appareils du fournisseur	18-PDIP
Paquet/caisse	18-DIP (0.300", 7.62mm)
Série	-
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	-
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	1.6V @ 350mA, 500A
Fréquence - Transition	-
Tension - Répartition Collecteur Emetteur (Max)	50V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	600mA
Type de transistor	8 NPN Darlington
Puissance - Max	1W
Autres noms	2368-NTE2018

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