SIR880ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
NOVA partie #:
312-2279434-SIR880ADP-T1-GE3
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
SIR880ADP-T1-GE3
Paquet Standard:
3,000
Fiche technique:
N-Channel 80 V 60A (Tc) 5.4W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | PowerPAK® SO-8 | |
| Numéro de produit de base | SIR880 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | TrenchFET® | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 60A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.3mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 72 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | PowerPAK® SO-8 | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 80 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2289 pF @ 40 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 5.4W (Ta), 83W (Tc) | |
| Autres noms | SIR880ADP-T1-GE3TR SIR880ADP-T1-GE3DKR SIR880ADPT1GE3 SIR880ADP-T1-GE3CT |
In stock Veuillez nous contacter
Pas le prix que vous voulez? Remplissez les formulaires et nous vous contacterons dès que possible.
Nous avons trouvé d’autres produits qui pourraient vous intéresser!
SIR826ADP-T1-GE3Vishay Siliconix
LTC4359CMS8#TRPBFAnalog Devices Inc.- SIR680ADP-T1-RE3Vishay Siliconix
SIJ478DP-T1-GE3Vishay Siliconix
AP2152ASG-13Diodes Incorporated
FDMS86150ET100onsemi
SIDR626LDP-T1-RE3Vishay Siliconix- SQJA80EP-T1_GE3Vishay Siliconix
SIR668DP-T1-RE3Vishay Siliconix
SIDR170DP-T1-RE3Vishay Siliconix
BSC0802LSATMA1Infineon Technologies- SIR170DP-T1-RE3Vishay Siliconix
SQJQ410EL-T1_GE3Vishay Siliconix
