IRFS4127TRLPBF

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Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Infineon Technologies
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	D2PAK
Numéro de produit de base	IRFS4127
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	HEXFET®
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	72A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	22mOhm @ 44A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	150 nC @ 10 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vg (Max)	±20V
Type FET	N-Channel
Tension drain à source (Vdss)	200 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	5380 pF @ 50 V
Dissipation de puissance (maximale)	375W (Tc)
Autres noms	SP001557360 IRFS4127TRLPBFDKR IRFS4127TRLPBFTR IRFS4127TRLPBFCT

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