JAN1N5811US

DIODE GEN PURP 150V 6A B-MELF
NOVA partie #:
287-2389105-JAN1N5811US
Pièce de fabricant non:
JAN1N5811US
Paquet Standard:
1
Fiche technique:

Diode Standard 150 V 6A Surface Mount B, SQ-MELF

More Information
Catégorie de produitsDiodes - Redresseurs - Simple
Fabricant:Microchip Technology
RoHS 1
VitesseFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Type de montageSurface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur B, SQ-MELF
Numéro de produit de base 1N5811
SérieMilitary, MIL-PRF-19500/477
Courant - Moyenne redressée (Io) 6A
Paquet/caisseSQ-MELF, B
Température de fonctionnement - Jonction-65°C ~ 175°C
Capacité @ Vr, F 60pF @ 10V, 1MHz
Courant - Fuite inverse @ Vr 5 µA @ 150 V
Tension - Avant (Vf) (Max) @ If 875 mV @ 4 A
Type de diodeStandard
Tension - CC inverse (Vr) (Max)150 V
Temps de récupération inverse (trr) 30 ns
Autres noms1086-2127
1086-2127-MIL
Q9178857

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