GD10MPS12E
1200V 10A TO-252-2 SIC SCHOTTKY
NOVA partie #:
287-2370879-GD10MPS12E
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
GD10MPS12E
Paquet Standard:
2,500
Fiche technique:
Diode Silicon Carbide Schottky 1200 V 29A (DC) Surface Mount TO-252-2
| Catégorie de produits | Diodes - Redresseurs - Simple | |
| Fabricant: | GeneSiC Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Vitesse | No Recovery Time > 500mA (Io) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | TO-252-2 | |
| Série | SiC Schottky MPS™ | |
| Courant - Moyenne redressée (Io) | 29A (DC) | |
| Paquet/caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C | |
| Capacité @ Vr, F | 367pF @ 1V, 1MHz | |
| Courant - Fuite inverse @ Vr | 5 µA @ 1200 V | |
| Tension - Avant (Vf) (Max) @ If | 1.8 V @ 10 A | |
| Type de diode | Silicon Carbide Schottky | |
| Tension - CC inverse (Vr) (Max) | 1200 V | |
| Temps de récupération inverse (trr) | 0 ns | |
| Autres noms | 1242-GD10MPS12ETR 1242-GD10MPS12ECT 1242-GD10MPS12EDKR |
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