E4D20120G

1200 V 20 A SCHOTTKY DIODE (SING
NOVA partie #:
287-2375742-E4D20120G
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
E4D20120G
Paquet Standard:
50
Fiche technique:

Diode Silicon Carbide Schottky 1200 V 56A (DC) Surface Mount TO-263-2

More Information
Catégorie de produitsDiodes - Redresseurs - Simple
Fabricant:Wolfspeed, Inc.
RoHS 1
VitesseNo Recovery Time > 500mA (Io)
Type de montageSurface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur TO-263-2
Numéro de produit de base E4D20120
SérieE-Series, Automotive
Courant - Moyenne redressée (Io) 56A (DC)
Paquet/caisseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Température de fonctionnement - Jonction-55°C ~ 175°C
Capacité @ Vr, F 1474pF @ 0V, 1MHz
Courant - Fuite inverse @ Vr 200 µA @ 200 µA
Tension - Avant (Vf) (Max) @ If 1.8 V @ 20 A
Type de diodeSilicon Carbide Schottky
Tension - CC inverse (Vr) (Max)1200 V
Temps de récupération inverse (trr) 0 ns
Autres noms1697-E4D20120G

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