IDH10G65C5XKSA2
DIODE SCHOTKY 650V 10A TO220-2-1
NOVA partie #:
287-2375700-IDH10G65C5XKSA2
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
IDH10G65C5XKSA2
Paquet Standard:
50
Fiche technique:
Diode Silicon Carbide Schottky 650 V 10A (DC) Through Hole PG-TO220-2-1
| Catégorie de produits | Diodes - Redresseurs - Simple | |
| Fabricant: | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Vitesse | No Recovery Time > 500mA (Io) | |
| Type de montage | Through Hole | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | PG-TO220-2-1 | |
| Numéro de produit de base | IDH10G65 | |
| Série | CoolSiC™+ | |
| Courant - Moyenne redressée (Io) | 10A (DC) | |
| Paquet/caisse | TO-220-2 | |
| Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C | |
| Capacité @ Vr, F | 300pF @ 1V, 1MHz | |
| Courant - Fuite inverse @ Vr | 180 µA @ 650 V | |
| Tension - Avant (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 10 A | |
| Type de diode | Silicon Carbide Schottky | |
| Tension - CC inverse (Vr) (Max) | 650 V | |
| Temps de récupération inverse (trr) | 0 ns | |
| Autres noms | SP001632410 |
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