SIDR170DP-T1-RE3

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 100V 23.2A/95A PPAK

قسمت # NOVA:

312-2263564-SIDR170DP-T1-RE3

سازنده:

شماره قطعه سازنده:

SIDR170DP-T1-RE3

بسته استاندارد:

3,000

N-Channel 100 V 23.2A (Ta), 95A (Tc) 6.25W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8DC

More Information
دسته بندی	ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سازنده	Vishay Siliconix
RoHS	1
بسته بندی	Tape & Reel (TR)
دمای عملیاتی	-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب	Surface Mount
بسته دستگاه تامین کننده	PowerPAK® SO-8DC
شماره محصول پایه	SIDR170
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
سلسله	TrenchFET® Gen IV
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C	23.2A (Ta), 95A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)	4.5V, 10V
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs	4.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID	2.5V @ 250µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	140 nC @ 10 V
ویژگی FET	-
بسته / مورد	PowerPAK® SO-8
Vgs (حداکثر)	±20V
نوع FET	N-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	100 V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	6195 pF @ 50 V
اتلاف نیرو (حداکثر)	6.25W (Ta), 125W (Tc)
نامهای دیگر	742-SIDR170DP-T1-RE3CT 742-SIDR170DP-T1-RE3TR 742-SIDR170DP-T1-RE3DKR