SQS462EN-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8
قسمت # NOVA:
312-2285553-SQS462EN-T1_GE3
سازنده:
شماره قطعه سازنده:
SQS462EN-T1_GE3
بسته استاندارد:
3,000
برگه اطلاعات فنی:
N-Channel 60 V 8A (Tc) 33W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
| دسته بندی | ترانزیستور - FET، ماسفت - تک | |
| سازنده | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| بسته بندی | Tape & Reel (TR) | |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| نوع نصب | Surface Mount | |
| بسته دستگاه تامین کننده | PowerPAK® 1212-8 | |
| شماره محصول پایه | SQS462 | |
| فن آوری | MOSFET (Metal Oxide) | |
| سلسله | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C | 8A (Tc) | |
| ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن) | 4.5V, 10V | |
| Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs | 63mOhm @ 4.3A, 10V | |
| Vgs(th) (حداکثر) @ ID | 2.5V @ 250µA | |
| شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs | 12 nC @ 10 V | |
| ویژگی FET | - | |
| بسته / مورد | PowerPAK® 1212-8 | |
| Vgs (حداکثر) | ±20V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) | 60 V | |
| ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds | 470 pF @ 25 V | |
| اتلاف نیرو (حداکثر) | 33W (Tc) | |
| نامهای دیگر | SQS462EN-T1_GE3DKR SQS462EN-T1-GE3 SQS462EN-T1-GE3-ND SQS462EN-T1_GE3CT SQS462EN-T1_GE3-ND SQS462EN-T1_GE3TR |
In stock لطفا با ما تماس بگیرید
قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.
ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!
24LC64T-I/OTMicrochip Technology
TPS70933QDBVRQ1Texas Instruments
SQ2361AEES-T1_GE3Vishay Siliconix
NRVTSA4100ET3Gonsemi
MAX13047EEVB+TAnalog Devices Inc./Maxim Integrated- OPA333AQDBVRQ1Texas Instruments
