IXTQ30N60L2

MOSFET N-CH 600V 30A TO3P
قسمت # NOVA:
312-2273052-IXTQ30N60L2
سازنده:
شماره قطعه سازنده:
IXTQ30N60L2
بسته استاندارد:
30
برگه اطلاعات فنی:

N-Channel 600 V 30A (Tc) 540W (Tc) Through Hole TO-3P

More Information
دسته بندیترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سازندهIXYS
RoHS 1
دمای عملیاتی -55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصبThrough Hole
بسته دستگاه تامین کننده TO-3P
شماره محصول پایه IXTQ30
فن آوریMOSFET (Metal Oxide)
سلسلهLinear L2™
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C 30A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)10V
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs 240mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID 4.5V @ 250µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs 335 nC @ 10 V
ویژگی FET-
بسته / موردTO-3P-3, SC-65-3
Vgs (حداکثر)±20V
نوع FETN-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)600 V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds 10700 pF @ 25 V
اتلاف نیرو (حداکثر) 540W (Tc)

In stock لطفا با ما تماس بگیرید

Whatsapp

قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.